| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 工作电压 | 10V ~ 20V |
| 封装 | PDIP-8 |
| 额定功率 | 1 W |
| 上升/下降时间 | 80ns, 40ns |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电压 | 600 V |
| 输出电流 | 250.500 mA |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 功耗 | 1000 mW |
| 静态电流 | 70 µA |
| 上升时间 | 80 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 下降时间(Max) | 65 ns |
| 上升时间(Max) | 130 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1000 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.92 mm |
| 宽度 | 7.11 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，Infineon
●Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件，采用半桥配置。
Infineon（英飞凌）
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600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2111PBF 双功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, DIP-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR2111SPBF 双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IR2111PBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, DIP-8 新
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INTERNATIONAL RECTIFIER IR2111SPBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, SOIC-8 新
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