| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 200 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.004 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 5669 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 202A |
| 上升时间 | 190 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5669pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 333 W |
| 下降时间 | 33 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 333W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.67 mm |
| 高度 | 8.77 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，40V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 40V ， RDS（ON） = 0.004ohm ，ID = 162A ） Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF1404PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF1404ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 190 A, 40 V, 3.7 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1404PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 202A, TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
IRF1404 系列 40 V 162 A 超低导通电阻 HEXFET® 功率 MOSFET-D²-Pak
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1404ZPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 190A, TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF1404LPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V 新
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