| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0067 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 441 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 135 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 129A |
| 上升时间 | 73 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 9700pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 81 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 441W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 135 V 129A（Tc） 441W（Tc） PG-TO220-3
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.56 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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30 页 / 0.64 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 129 A, 135 V, 0.0067 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 129 A, 135 V, 0.0067 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRF135SA204, 160 A, Vds=135 V, 7针+焊片 D2PAK (TO-263)封装
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