| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 130 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0026 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 210A |
| 上升时间 | 20 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 7960pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 78 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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IRF
汽车MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF3805PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 55 V, 0.0026 ohm, 10 V, 4 V 新
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INFINEON IRF3805STRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 55 V, 0.0026 ohm, 10 V, 4 V 新
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRF3805S-7PPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 55 V, 2.6 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 55 V, 0.002 ohm, 10 V, 4 V
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