类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
额定功率 | 47 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.2 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 48 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 9.7A |
上升时间 | 23 ns |
输入电容值(Ciss) | 330pF @25V(Vds) |
下降时间 | 23 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 11 A, 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Intersil(英特矽尔)
9.2A , 100V , 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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