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IRF5NJ5305
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IRF5NJ5305 技术参数、封装参数

IRF5NJ5305 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
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IRF5 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF540NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF540NSTRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF540NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF530NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 17A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF5305PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF5210STRLPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF5305STRLPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V 新
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