| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 3.30 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 36 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1.5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 36 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.30 A |
| 上升时间 | 17 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 140pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 36 W |
| 下降时间 | 8.9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 36W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.41 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
| 最小包装数量 | 50 |
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
Intersil（英特矽尔）
3.3A ， 200V ， 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 3.5A ， 150-200V N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
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