Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY（威世） > IRF610SPBF Datasheet 文档
IRF610SPBF
来自 AiPCBA

IRF610SPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
PDF文件:IRF610SPBF 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页9 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IRF610SPBF 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF610SPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
漏源极电阻1.5 Ω
极性N-Channel
功耗3 W
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)3.30 A
上升时间17 ns
输入电容值(Ciss)140pF @25V(Vds)
额定功率(Max)3 W
下降时间8.9 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3W (Ta), 36W (Tc)
查看数据手册 >

IRF610SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.67 mm
宽度9.65 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
最小包装数量2000
查看数据手册 >

IRF610SPBF 数据手册

IRF610SPBF 数据手册
VISHAY（威世）
10 页 / 0.3 MByte
IRF610SPBF 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
12 页 / 0.26 MByte

IRF610 数据手册

IRF610 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
IRF610 数据手册
VISHAY（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF610 数据手册
Intersil（英特矽尔）
3.3A ， 200V ， 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF610 数据手册
Vishay Siliconix
IRF610 数据手册
Harris
IRF610 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
功率MOSFET Power MOSFET
IRF610 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 3.5A ， 150-200V N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
IRF610 数据手册
Motorola（摩托罗拉）
IRF610 数据手册
National Semiconductor（美国国家半导体）
IRF610 数据手册
Samsung（三星）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF610 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet