| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 82 W |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.3A |
| 上升时间 | 14 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 575pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 82W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.32 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS IRF630.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道功率MOSFET ， 12A ， 150至200 V N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
Intersil（英特矽尔）
9A ， 200V ， 0.400 Ohm的N通道功率MOSFET 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
International Rectifier（国际整流器）
NXP（恩智浦）
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
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