| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 7 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 14.0 A |
| 封装 | DIRECTFET™ ST |
| 漏源极电阻 | 6.20 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 42.0 W |
| 零部件系列 | IRF6617 |
| 输入电容 | 1.30 nF |
| 栅电荷 | 17.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A, 50.0 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 1300pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF6617TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.0062 ohm, 10 V, 2.35 V 新
International Rectifier（国际整流器）
IRF6617TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS
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