IRF6643TR1PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	DirectFET-MZ
描述:	MOSFET，InfineonD 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列，可简化高效 D 级放大器设计。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF6643TR1PBF 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	7 Pin
封装	DirectFET-MZ
额定功率	89 W
漏源极电阻	0.029 Ω
极性	N-CH
功耗	2.8 mW
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	150 V
连续漏极电流(Ids)	6.2A
上升时间	5 ns
输入电容值(Ciss)	2340pF @25V(Vds)
下降时间	4.4 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-40 ℃
耗散功率(Max)	2800 mW

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IRF6643TR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tape & Reel (TR)
材质	Silicon
长度	5.45 mm
宽度	5.05 mm
高度	0.6 mm
工作温度	-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF6643TR1PBF 符合标准

IRF6643TR1PBF 概述

IRF6643TR1PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

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IRF6643TR1PBF 其他数据使用手册

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IRF6643TR1 数据手册

IRF6643TR1PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

MOSFET，InfineonD 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列，可简化高效 D 级放大器设计。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

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