| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 7 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 27.0 A |
| 封装 | DirectFET-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.8 W |
| 零部件系列 | IRF6620 |
| 阈值电压 | 2.45 V |
| 输入电容 | 4.13 nF |
| 栅电荷 | 42.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 22.0 A, 150 mA |
| 上升时间 | 80.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4130pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.8 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
International Rectifier（国际整流器）
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 20 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.45 V
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IRF6620TR1 N沟道MOSFET 20V 150A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS
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