| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 7 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 42.0 A |
| 封装 | Direct-FET |
| 额定功率 | 42 W |
| 漏源极电阻 | 6.20 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 42 W |
| 零部件系列 | IRF6617 |
| 输入电容 | 1.30 nF |
| 栅电荷 | 17.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 上升时间 | 34 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1300pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.1 W |
| 下降时间 | 3.7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 4.85 mm |
| 宽度 | 3.95 mm |
| 高度 | 0.7 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.23 MByte
Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.12 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF6617TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
