| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | TSOP-6 |
| 漏源极电阻 | 190 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 零部件系列 | IRF5803 |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -3.40 A |
| 热阻 | 62.5℃/W (RθJA) |
| 输入电容值(Ciss) | 1110pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 3.1 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = -40V ） Power MOSFET(Vdss=-40V)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF5803TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.4 A, -40 V, 112 mohm, 10 V, -3 V
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IRF5803TR P沟道MOS场效应管 -40V -3.4A 0.112ohm SOT-163 marking/标记 G6 低导通电阻 低栅极电荷
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