| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -40.0 V |
| 额定电流 | -3.40 A |
| 封装 | SOT-163 |
| 零部件系列 | IRF5803 |
| 漏源极电压(Vds) | 40.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.40 A |
| 上升时间 | 550 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -40V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 最大漏极电流IdDrain Current| -3.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.112Ω @-3.4A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.0--3V 耗散功率PdPower Dissipation| 2W Description & Applications| Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge 描述与应用| 超低导通电阻 P沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带和卷轴 低栅极电荷
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = -40V ） Power MOSFET(Vdss=-40V)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF5803TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.4 A, -40 V, 112 mohm, 10 V, -3 V
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IRF5803TR P沟道MOS场效应管 -40V -3.4A 0.112ohm SOT-163 marking/标记 G6 低导通电阻 低栅极电荷
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