| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 7 Pin |
| 封装 | Direct-FET |
| 额定功率 | 89 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 0.0013 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2.8 W |
| 阈值电压 | 1.7 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 32A |
| 上升时间 | 30 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6140pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.8 W |
| 下降时间 | 17 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5.45 mm |
| 宽度 | 5.05 mm |
| 高度 | 0.6 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
DirectFET® 功率 MOSFET，Infineon
●DirectFET®
● 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。
●在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻
●封装电阻极低，尽量减少传导损耗
●高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
●薄型，仅 0.7mm
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.25 MByte
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DirectFET® 功率 MOSFET，Infineon**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低，尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型，仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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