| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOIC-8 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.6A |
| 上升时间 | 17 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 900pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 31 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7311TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7311PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.6 A, 20 V, 29 mohm, 4.5 V, 700 mV
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