| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 6.60 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 漏源极电阻 | 0.046 Ω |
| 极性 | N-Channel, Dual N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 零部件系列 | IRF7311 |
| 阈值电压 | 0.7 V |
| 输入电容 | 900pF @15V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.60 A |
| 上升时间 | 17.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 900pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7311TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7311PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.6 A, 20 V, 29 mohm, 4.5 V, 700 mV
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