| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -12.0 V |
| 额定电流 | -9.20 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 30 mΩ |
| 极性 | P-Channel, Dual P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 零部件系列 | IRF7329 |
| 漏源极电压(Vds) | 12 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -9.20 A |
| 输入电容值(Ciss) | 3450pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
International Rectifier（国际整流器）
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7329PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 9.2 A, -12 V, 17 mohm, -4.5 V, -900 mV
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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