| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.03 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel, N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 1.2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7A |
| 上升时间 | 22 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1340pF @16V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 50 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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N 沟道 20 V 2 W 13 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - SOIC-8
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INFINEON IRF7331PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 1.2 V
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