| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.023 Ω |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 700 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.6A/5.3A |
| 正向电压(Max) | 1 V |
| 输入电容值(Ciss) | 900pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
双 N/P 通道功率 MOSFET，Infineon
●Infineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N/P 通道配置。
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.23 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
27 页 / 0.31 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.68 MByte
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.32 MByte
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.11 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7317TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7317PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7317PBF 双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 20V, SOIC 新
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
