| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 9.00 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2.5 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 17 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 零部件系列 | IRF7469 |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 2000 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.00 A |
| 上升时间 | 2.2 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2000pF @20V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 3.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 40V ，ID = 9.0A ） Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.0A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7469TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 40 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7469PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 40 V, 17 mohm, 10 V, 3 V
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