| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC |
| 漏源极电阻 | 135 mΩ |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.40 A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
International Rectifier（国际整流器）
8 页 / 1 MByte
International Rectifier（国际整流器）
8 页 / 0.98 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.135ohm ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7503TRPBF. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, MICRO8, 整卷
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7503PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.4 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
