| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | TSSOP-8 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 1.25 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.4A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 210pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.25 W |
| 下降时间 | 5.3 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1250 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 2.4A 1.25W 表面贴装型 Micro8™
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.11 MByte
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.26 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.135ohm ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7503TRPBF. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, MICRO8, 整卷
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7503PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.4 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
