| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | Micro-8 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 1.8W (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.7A |
| 输入电容值(Ciss) | 650pF @15V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 1.8W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 20 V 5.7A（Ta） Micro8™
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 20V ， RDS（ON） = 0.035ohm ） Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.035ohm)
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 20 V, 0.035 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7601PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 20 V, 35 mohm, 4.5 V, 700 mV
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