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IRF7779L2TR1PBF
来自 AiPCBA

IRF7779L2TR1PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:Direct-FET
描述:INFINEON  IRF7779L2TR1PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 150 V, 9 mohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IRF7779L2TR1PBF 数据手册 (11 页)封装尺寸在9 页
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产品图
IRF7779L2TR1PBF 数据手册 (11 页)
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IRF7779L2TR1PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数5 Pin
封装Direct-FET
针脚数5 Position
漏源极电阻0.009 Ω
极性N-CH
功耗125 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)150 V
连续漏极电流(Ids)67A
输入电容值(Ciss)6660pF @25V(Vds)
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.3W (Ta), 125W (Tc)
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IRF7779L2TR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
长度9.15 mm
宽度7.1 mm
高度0.7 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IRF7779L2TR1PBF 数据手册

IRF7779L2TR1PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.25 MByte
IRF7779L2TR1PBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
IRF7779L2TR1PBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.12 MByte

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INFINEON  IRF7779L2TR1PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 150 V, 9 mohm, 10 V, 4 V
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