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IRF7779L2TR1PBF
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IRF7779L2TR1PBF 数据手册 - International Rectifier（国际整流器）

制造商:International Rectifier（国际整流器）
分类:MOS管
封装:DirectFET™ Isometric L8
PDF文件:IRF7779L2TR1PBF 数据手册 (11 页)封装尺寸在9 页
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IRF7779L2TR1PBF 数据手册 (11 页)
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IRF7779L2TR1PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数5 Pin
封装DirectFET™ Isometric L8
额定功率125 W
漏源极电阻9 mΩ
极性N-Channel
功耗125 W
零部件系列IRF7779L2
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)150 V
连续漏极电流(Ids)11.0 A
输入电容值(Ciss)6660pF @25V(Vds)
额定功率(Max)3.3 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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IRF7779L2TR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IRF7779L2TR1PBF 数据手册

IRF7779L2TR1PBF 数据手册
International Rectifier（国际整流器）
11 页 / 0.25 MByte
IRF7779L2TR1PBF 其他数据使用手册
International Rectifier（国际整流器）
12 页 / 0.27 MByte

IRF7779L2TR1 数据手册

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INFINEON  IRF7779L2TR1PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 150 V, 9 mohm, 10 V, 4 V
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