类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOIC-8 |
极性 | N-CH |
功耗 | 2.5W (Ta) |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 8.3A |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
芯片组为DC- DC转换器 Chip-Set for DC-DC Converters
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 30 V, 0.017 ohm, 4.5 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF7807VPBF SO-8
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