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IRF7807D2PBF
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IRF7807D2PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
PDF文件:IRF7807D2PBF 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
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IRF7807D2PBF 数据手册 (8 页)
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IRF7807D2PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流8.30 A
封装SOIC-8
漏源极电阻25.0 mΩ
极性N-Channel
功耗2.5W (Ta)
零部件系列IRF7807D2
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
连续漏极电流(Ids)8.30 A
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.5W (Ta)
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IRF7807D2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF7807D2PBF 数据手册

IRF7807D2PBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
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