| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOIC-8 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2.5W (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 19A |
| 输入电容值(Ciss) | 3710pF @15V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 30 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2.25 V
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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