类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
额定功率 | 2.5 W |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.018 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.5 W |
阈值电压 | 4.9 V |
输入电容 | 1640 pF |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 8.3A |
上升时间 | 6.6 ns |
输入电容值(Ciss) | 1640pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
下降时间 | 6 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 5 mm |
宽度 | 3.9 mm |
高度 | 1.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.2 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF7853TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3A, 100V SOIC-8
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件