| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 额定功率 | 1.3 W |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.112 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 1110 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.4A |
| 上升时间 | 550 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1110pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 50 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IRF5803TRPBF是一款HEXFET® 单P沟道功率MOSFET, 采用先进的技术, 可实现极低的导通电阻. 这些性能为设计人员提供了一款效率极高的器件, 可用于电池和负载管理应用. 非常适用于印刷电路板空间, 以及非常宝贵的应用. 独特的散热设计和低RDS (ON), 使电流处理能力增加了近300％. 是DC开关和负载开关的理想选择.
● 低门电荷
● 无卤素
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.19 MByte
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = -40V ） Power MOSFET(Vdss=-40V)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF5803TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.4 A, -40 V, 112 mohm, 10 V, -3 V
International Rectifier（国际整流器）
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IRF5803TR P沟道MOS场效应管 -40V -3.4A 0.112ohm SOT-163 marking/标记 G6 低导通电阻 低栅极电荷
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