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BSZ120P03NS3GATMA1
来自 AiPCBA

BSZ120P03NS3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TSDSON-8
描述:INFINEON  BSZ120P03NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 V 新
PDF文件:BSZ120P03NS3GATMA1 数据手册 (9 页)
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BSZ120P03NS3GATMA1 数据手册 (9 页)
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BSZ120P03NS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TSDSON-8
额定功率52 W
针脚数8 Position
漏源极电阻0.009 Ω
极性P-Channel
功耗52 W
输入电容2240 pF
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)40A
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)3360pF @15V(Vds)
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.1W (Ta), 52W (Tc)
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BSZ120P03NS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSZ120P03NS3GATMA1 数据手册

BSZ120P03NS3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.59 MByte
BSZ120P03NS3GATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSZ120P03NS3GATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte
BSZ120P03NS3GATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
BSZ120P03NS3GATMA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.07 MByte

BSZ120P03NS3 数据手册

BSZ120P03NS3GATMA1 数据手册
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INFINEON  BSZ120P03NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 V 新
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晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 V
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30V,-40A,P沟道功率MOSFET
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