类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
额定功率 | 580 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.023 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 580 W |
阈值电压 | 5 V |
输入电容 | 6040 pF |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 94A |
上升时间 | 160 ns |
输入电容值(Ciss) | 6040pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 580 W |
下降时间 | 79 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 580W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.87 mm |
宽度 | 5.3 mm |
高度 | 20.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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INFINEON IRFP90N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 200 V, 23 mohm, 10 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP90N20DPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 94A, TO-247AC 新
International Rectifier(国际整流器)
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON)最大值= 0.023ohm ,ID = 94A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, Id=94A)
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