| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 100 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.1 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 100 W |
| 阈值电压 | 4.9 V |
| 输入电容 | 1200 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1200pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 100 W |
| 下降时间 | 6.3 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 100W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.66 mm |
| 宽度 | 4.82 mm |
| 高度 | 9.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
数字音频 MOSFET，Infineon
●D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列，可简化高效 D 级放大器设计。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.62 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.32 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFB4020PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 4.9 V
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
