| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 110 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.06 Ω |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 110 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 1200 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 31A |
| 上升时间 | 66 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1200pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.8 W |
| 下降时间 | 63 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET 40V 到 55V，Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.06ohm ，ID = -31A ） Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF5305PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF5305STRLPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V 新
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF5305PBF 场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 31A, TO-220AB 新
Infineon（英飞凌）
P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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