| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 33 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.1 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 33 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12A |
| 上升时间 | 53 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 800pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 26 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 41W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IRLI530NPBF 是一款HEXFET® 第五代单N沟道功率MOSFET, 采用先进的技术, 具有极低的单位面积导通电组。这种性能结合快速开关速度, 以及坚固耐用的器件设计, 提供极高效率和可靠性。封装无需额外的绝缘硬件。模塑化合物提供高隔离能力和低热阻。隔离效果相当于100 micron云母隔离层。可配合夹子或螺丝, 在器件上安装散热器。
●SP001573830
● 逻辑电平栅极驱动
● 先进的工艺技术
● 隔离封装
● 完全雪崩认证
● 低静态漏-源导通电阻
● 逻辑电平
Infineon（英飞凌）
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INFINEON IRLI530NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 100 V, 100 mohm, 10 V, 2 V
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