类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
额定功率 | 200 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0035 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3.8 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 7360 pF |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
连续漏极电流(Ids) | 162A |
上升时间 | 140 ns |
输入电容值(Ciss) | 7360pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 3.8 W |
下降时间 | 26 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 11.3 mm |
高度 | 4.83 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,40V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(ON) = 0.004ohm ,ID = 162A ) Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF1404PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF1404ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 190 A, 40 V, 3.7 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1404PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 202A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
IRF1404 系列 40 V 162 A 超低导通电阻 HEXFET® 功率 MOSFET-D²-Pak
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1404ZPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 190A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF1404LPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V 新
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