| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 330 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.026 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 330 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 输入电容 | 4600 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 62A |
| 上升时间 | 20 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4600pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 330 W |
| 下降时间 | 31 ns |
| 工作温度(Max) | 180 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 330W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
200V,22mΩ,62A,N沟道功率MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFS4227PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 200 V, 26 mohm, 10 V, 5 V
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