| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 80.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 漏源极电阻 | 15 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 260 W |
| 零部件系列 | IRF8010S |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 3830pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
| 上升时间 | 130 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3830pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 260 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF8010PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF8010STRLPBF. 场效应管, MOSFET 晶体管
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF8010SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 4 V
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