类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
额定功率 | 260 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.012 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 260 W |
阈值电压 | 20 V |
输入电容 | 3830 pF |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 80A |
上升时间 | 130 ns |
输入电容值(Ciss) | 3830pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 260 W |
下降时间 | 120 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 260W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRF8010PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 4 V
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INFINEON IRF8010STRLPBF. 场效应管, MOSFET 晶体管
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INFINEON IRF8010SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 4 V
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