IRLR3110ZTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	TO-252-3
描述:	HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLR3110ZTRPBF 数据手册 (11 页)

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IRLR3110ZTRPBF 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3
额定功率	140 W
针脚数	3 Position
漏源极电阻	16 mΩ
极性	N-Channel
功耗	140 W
阈值电压	1 V
输入电容	3980 pF
漏源极电压(Vds)	100 V
连续漏极电流(Ids)	63A
上升时间	110 ns
输入电容值(Ciss)	3980pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	140 W
下降时间	48 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	140W (Tc)

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IRLR3110ZTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
材质	Silicon
长度	6.73 mm
宽度	7.49 mm
高度	2.39 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRLR3110ZTRPBF 符合标准

IRLR3110ZTRPBF 概述

IRLR3110ZTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.3 MByte

IRLR3110ZTRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRLR3110ZTRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRLR3110ZTRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLR3110ZTRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRLR3110ZTRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.1 MByte

IRLR3110 数据手册

IRLR3110ZTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

IRLR3110ZPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRLR3110ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2.5 V

IRLR3110ZTRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道,100V,63A,16mΩ@4.5V

IRLR3110ZTRLPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3110ZTRLPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

IRLR3110ZPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRLR3110ZTRRPBF 数据手册