类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
额定功率 | 2.5 W |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.0156 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 2.5 W |
零部件系列 | IRF9333 |
输入电容 | 1110 pF |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | -9.20 A |
上升时间 | 44 ns |
输入电容值(Ciss) | 1110pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
下降时间 | 49 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET 30V,Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
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INFINEON IRF9333TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -9.2A, SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRF9333PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -9.2 A, -30 V, 15.6 mohm, -10 V, -1.8 V
International Rectifier(国际整流器)
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