类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | TO-261-4 |
额定功率 | 1.8 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 4 Position |
漏源极电阻 | 0.11 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 1.8 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 715 pF |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.9A |
上升时间 | 9 ns |
输入电容值(Ciss) | 875pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.8 W |
下降时间 | 7 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.8W (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 40 mm |
宽度 | 3.5 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET
●Infineon
● SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
●· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)
●· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.37 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSP613P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
Infineon(英飞凌)
60V,-2.9A,0.13Ω,P沟道MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP613PH6327XTSA1, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件