| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0019 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 140 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 180A |
| 上升时间 | 39 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4610pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 34 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 140W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IRFR7440TRPBF是一款HEXFET®单N沟道功率MOSFET, 具有改良的栅极, 雪崩与动态dV/dt耐用性. 适用于PWM逆变器拓扑结构, 电池供电电路, 半桥与全桥拓扑结构, 同步整流器应用, O-ring与冗余电源开关, DC-DC与AC-DC转换器.
● 完全表征电容值与雪崩SOA
● 增强型主体二极管dV/dt与di/dt功能
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.28 MByte
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFR7440TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
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