| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 150 V |
| 额定电流 | 23.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 0.09 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 136 W |
| 零部件系列 | IRFB23N15D |
| 阈值电压 | 5.5 V |
| 输入电容 | 1200pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 漏源击穿电压 | 150 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 23.0 A |
| 上升时间 | 32.0 ns |
| 热阻 | 1.1℃/W (RθJC) |
| 输入电容值(Ciss) | 1200pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.8 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 10.54 mm |
| 高度 | 15.24 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 150V ， RDS（ON）最大值= 0.090ohm ，ID = 23A ） Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFB23N15DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 150 V, 90 mohm, 10 V, 5.5 V
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