类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | 200 V |
额定电流 | 24.0 A |
封装 | TO-220-3 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
零部件系列 | IRFB23N20D |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
漏源击穿电压 | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 24.0 A |
上升时间 | 32.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 1960pF @25V(Vds) |
耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFB23N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON)最大值= 0.10ohm ,ID = 24A ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
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