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IRFB3077GPBF
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IRFB3077GPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:INFINEON  IRFB3077GPBF  场效应管, MOSFET, 75V, 210A, TO-220AB
PDF文件:IRFB3077GPBF 数据手册 (8 页)封装尺寸在8 页
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IRFB3077GPBF 数据手册 (8 页)
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IRFB3077GPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻3.3 mΩ
极性N-CH
功耗370 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)75 V
连续漏极电流(Ids)210A
上升时间87 ns
输入电容值(Ciss)9400pF @50V(Vds)
额定功率(Max)370 W
下降时间95 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)370W (Tc)
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IRFB3077GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IRFB3077GPBF 数据手册

IRFB3077GPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.28 MByte
IRFB3077GPBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
IRFB3077GPBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.29 MByte

IRFB3077 数据手册

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IRFB3077 数据手册
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INFINEON  IRFB3077PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 75 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 V
IRFB3077PBF 数据手册
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N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10V
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