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TK18A50D(STA4,Q,M)
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TK18A50D(STA4,Q,M) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
PDF文件:TK18A50D(STA4,Q,M) 数据手册 (7 页)
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TK18A50D(STA4,Q,M) 数据手册 (7 页)
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TK18A50D(STA4,Q,M) 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
功耗50 W
漏源极电压(Vds)500 V
上升时间50 ns
输入电容值(Ciss)2600pF @25V(Vds)
下降时间25 ns
耗散功率(Max)50W (Tc)
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TK18A50D(STA4,Q,M) 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.5 mm
高度15 mm
工作温度150℃ (TJ)
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TK18A50D(STA4,Q,M) 数据手册

TK18A50D(STA4,Q,M) 数据手册
Toshiba（东芝）
7 页 / 0.17 MByte
TK18A50D(STA4,Q,M) 产品设计参考手册
Toshiba（东芝）
63 页 / 1.58 MByte
TK18A50D(STA4,Q,M) 其他数据使用手册
Toshiba（东芝）
42 页 / 0.46 MByte

TK18A50DSTA4 数据手册

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