| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 300 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0041 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 6920 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 170A |
| 上升时间 | 68 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6920pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
| 下降时间 | 68 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.66 mm |
| 宽度 | 4.82 mm |
| 高度 | 9.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon
●### 电动机控制 MOSFET
●Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
●### 同步整流器 MOSFET
●同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRFB3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
N沟道 75 V 300 W 180 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220AB
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFB3207ZGPBF 场效应管, MOSFET, 75V, 210A, TO-220AB
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